Samsung DDR5 SDRAM 8GB 2800MHz SO DIMM 262-PIN
Samsung - DDR5 - modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ikke bufferet
Samsungs 8 GB DDR5 SDRAM-hukommelsesmodul er en effektiv opgraderingsmulighed til forbedring af forskellige enheders ydeevne. Med en hukommelseshastighed på 2800 MHz sikrer dette SO-DIMM 262-pin-modul problemfri multitasking og forbedret reaktionsevne til krævende applikationer. Det ubufrede, single rank-design giver mulighed for optimeret ydeevne og pålidelighed, hvilket gør det til et passende valg til både spil og produktivitetsopgaver.
-
Product no 1002315132
Model M425R1GB4BB0-CWM
Brand
Go to brand's websiteEAN 5715328127142
Weight 0.02 kg
-
Product information and specifications are guiding only. Without notice, these can be subject to change by the manufacturer. This applies for product images as well.
| Produktbeskrivelse | Samsung - DDR5 - modul - 8 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - ikke bufferet |
| Produkttype | Hukommelsesmodul |
| Kapacitet | 8 GB |
| Hukommelsestype | DDR5 SDRAM - SO DIMM 262-PIN |
| Opgraderingstype | Generisk |
| Hastighed | 2800 MHz (PC5-44800) |
| Egenskaber | Single rank, ikke bufferet |
| Spænding | 1.1 V |
Effektiv hukommelseshastighed
Hukommelsesmodulet har en hastighed på 2800 MHz, hvilket giver hurtig dataadgang og forbedret systemrespons til forskellige anvendelser.
Lav forsyningsspænding
Med en forsyningsspænding på 1,1 V sparer dette hukommelsesmodul strøm og reducerer varmeudviklingen, hvilket bidrager til systemets samlede effektivitet.
Alsidig kompatibilitet
SO-DIMM 262-pin formfaktoren giver mulighed for nem integration i en lang række bærbare computere og kompakte stationære systemer, hvilket gør det til et alsidigt valg for forskellige brugere.
Forbedret pålidelighed
Med et unbuffered design og single rank-konfiguration understøtter dette hukommelsesmodul stabil ydeevne og pålidelighed under forskellige arbejdsbelastninger.
Mulighed for generisk opgradering
Dette hukommelsesmodul er designet som en generisk opgradering og kan erstatte eller forbedre eksisterende hukommelse i kompatible systemer for at forbedre driftsegenskaberne.