FRI FRAGT TIL PAKKESHOP PÅ ALLE ORDRER OVER 1000,- KRONER

Samsung 990 EVO Plus SSD MZ-V9S2T0 4TB M.2 PCI Express 4.0 x4 (NVMe) PCI Express 5.0 x2 (NVMe)

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - krypteret - 4 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0

DKK 4 467,00
DKK 3 573,60 ekskl. moms

Maks 10 stk. pr. kunde

Samsung 990 EVO Plus er et kraftfuldt internt solid state-drev, der er designet til at forbedre lagringsydelsen med en kapacitet på 2 TB. Med Samsung V-NAND TLC-teknologi sikrer dette drev højhastighedsdataoverførsel med en intern datahastighed på 7250 MBps og en skrivehastighed på 6300 MBps, hvilket muliggør problemfri drift til krævende applikationer og håndtering af store filer. Med understøttelse af PCI Express 4.0- og 5.0-grænseflader opfylder den forskellige systemkrav, samtidig med at den er hurtig og pålidelig.

Varenummer: 1002521235
Model: MZ-V9S4T0BW
EAN: 8806095575667
Producent:
Vægt: 0.07 kg

Specifikationer

Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensioner (B x D x H)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vægt
9 g
Producentgaranti
5 års garanti

Udv. specifikationer

Generelt
Bredde
22.15 mm
Dybde
80.15 mm
Egenskaber
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Enhedstype
Solid state-drev - intern
Grænseflade
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Hardware kryptering
Ja
Højde
2.38 mm
Kapacitet
4 TB
Krypterings algoritme
256-bit AES
Model
M.2 2280
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Vægt
9 g
Præstation
Intern datahastighed
7250 MBps (læs) / 6300 MBps (skriv)
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
1050000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
1400000 IOPS
Driftssikkerhed
MTBF (forventet tid mellem fejl)
1.500.000 timer
Ekspansion og forbindelse
Kompatibel bås
M.2 2280
Effekt
Strømforbrug
5.5 watt (læs) | 4.8 watt (skriv) | 60 mW (standby) | 5 mW (sov)
Programmer & Systemkrav
Med software
Samsung Magician Software
Diverse
Pakningsmateriale
Nikkelbelægning
Mål & vægt (forsendelse)
Bredde ved forsendelse
9.9 cm
Dybde ved forsendelse
2.29 cm
Højde ved forsendelse
14.2 cm
Producentgaranti
Service & Support
Begrænset garanti - 5 år / 2400 TBW
Miljømæssige parametre
Fugtighedsgrad ved brug
5 - 95 % (ikke-kondenserende)
Maks. driftstemperatur
70 °C
Maks. Opbevaringstemperatur
85 °C
Min. driftstemperatur
0 °C
Min. lagertemperatur
-40 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)
1500 g @ 0,5 ms
Vibration tolerance (non-operativ)
20 g @ 20-2000 Hz

Features

Effektiv dataoverførsel

Med interne datahastigheder på op til 7250 MBps kan data overføres hurtigt, hvilket giver hurtigere opstartstider og hurtigere indlæsning af programmer.

Høj holdbarhed

Med en stødmodstand på op til 1500 g og en vibrationstolerance er dette drev robust nok til at modstå fysisk stress og sikre pålidelig drift i forskellige miljøer.

Avanceret styring af ydeevne

Understøtter TRIM, Auto Garbage Collection og Device Sleep for at optimere ydeevnen og forlænge drevets levetid, hvilket gør det velegnet til både daglig brug og krævende applikationer.

Forbedrede sikkerhedsfunktioner

Drevet er udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 og giver robuste sikkerhedsforanstaltninger for at beskytte følsomme data mod uautoriseret adgang.

Media