DA   EN   SV

Samsung DDR4 8GB 3200MHz Ikke-ECC SO-DIMM 260-PIN

Samsung - DDR4 - modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - ikke bufferet - ikke-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3
232,00DKK185,60DKK ekskl. moms
  • Varenummer 996532110

    Model M471A1K43DB1-CWE

    Producent
    Gå til producentens hjemmeside

    Vægt 0.01 kg

  • Informationer/specifikationer på siden er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.
Produktbeskrivelse Samsung - DDR4 - modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - ikke bufferet
Produkttype Hukommelsesmodul
Kapacitet 8 GB
Hukommelsestype DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
Opgraderingstype Generisk
Dataintegritetskontrol Ikke-ECC
Hastighed 3200 MHz (PC4-25600)
Egenskaber Single rank, ikke bufferet
Spænding 1.2 V
Designet for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3
Generelt
Kapacitet 8 GB
Opgraderingstype Generisk
Hukommelse
Dataintegritetskontrol Ikke-ECC
Egenskaber Single rank, ikke bufferet
Hastighed 3200 MHz (PC4-25600)
Model SO DIMM 260-PIN
Organisering af chips 1024 x 8
Spænding 1.2 V
Teknologi DDR4 SDRAM
Type DRAM hukommelsesmodul
Oplysninger om kompatibilitet
Designet for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3